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真空共晶炉的温度影响

日期: 2016-08-12
来源:
浏览次数: 143

真空共晶炉焊接时热损伤会影响薄膜器件的性能;温度太高会造成粘连、磨损以及附着现象;无效的热部件会影响热的传导。下面就简单介绍下,真空共晶炉的温度影响。

 

真空共晶炉的温度影响

 

一、真空共晶炉共晶时通常的问题是基座(Heater Block)的温度小于共晶温度.在此类情况下,焊料已然能够熔化, 但五足量的温度来式芯片背部的镀金层扩散,而实际操作中误以为焊料熔化就达到共晶的目的。,由于长时间来加热基座会使电路产生损坏,由此可见共晶时温度和时间的控制是十分重要的。由于以上原因,温度曲线的设置是共晶好坏的重要因素。

 

二、真空共晶炉由于共晶时需要的温度较高,特别是用 AuGe焊料共晶,对基板及薄膜电路的耐高温特性提出了要求。要求电路能承受 400 ℃的高温,在该温度下,电阻及导电性能不能有改变。因此共晶的一个关键因素是温度,它不是单纯的到达某个定值温度,而是要经过一个温度曲线变化的过程,在温度变化中,还要具备处理任何随机事件的能力,如抽真空、充气、排气等事件。这些都是共晶炉设备具备的功能。

 

三、真空共晶炉多芯片共晶的温度控制与单芯片不同,此时要利用阶梯共晶的板房。通常先对温度高的焊料进行共晶,之后在对温度低的进行共晶的。共晶炉控制系统能够设置多个温度曲线,每条温度曲线能够设定9段,通过链接的方式可扩展到81段,在温度曲线运行过程中可增加充气、抽真空、排气等工艺步骤。

 

通过上述对真空共晶炉的温度影响的介绍,相信用户在真空共晶炉温度控制工艺曲线参数确立的时候能有一定的参考意义,帮助用户更好的使用真空共晶炉。

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